氮化镓（GaN）功率器件兼容基板，面向高功率射频前端与 PA，强调热导、耐压与匹配网络集成，支持宽频高功率。
高频低损耗基板，面向 FR3 与毫米波射频前端，强调介电常数稳定、损耗角低与高频一致性，提供国产替代选项。
LTCC 低温共烧陶瓷基板，面向多通道射频前端与模组，强调多层集成、热稳定性与通道一致性，适合高密度阵列。
